Samsung i IBM chwalą się przełomem technologicznym. VTFET zapewni szybszy hardware i zmniejszy zużycie energii

Wygląda na to, że marzenia o tym, by smartfony działały dłużej niż 2 dni bez potrzeby ładowania zostaną niedługo spełnione. IBM i Samsung chwalą się dokonaniem przełomu w technologii tworzenia półprzewodników i w architekturze tranzystorów.

IBM i Samsung twierdzą, że dokonały przełomu technologicznego, wykorzystując nowy projekt półprzewodników i wertykalną architekturę tranzystorów, co ma zapewniać ogromne zmniejszenie apetytu elektroniki na energię. IBM chwali się, że nowy koncept zapewnia redukcję zużycia energii o 85% w porównaniu z tradycyjnymi rozwiązaniami.

IBM roztacza wspaniałą wizję, związaną z nową technologią, zwaną VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) - m.in. znaczne wydłużenie czasu działania smartfonowych baterii, które funkcjonowałyby bez wymogu ładowania przez ponad tydzień, zamiast 1-2 dni.

"Nowa technologia może pomóc przemysłowi w ulepszeniach produktów, w takim zakresie jak:

• Wydłużenie działania baterii sprzętu mobilnego. Smartfony mogłyby działać bez ładowania przez ponad tydzień.
• Rozwój urządzeń typu IoT, dzięki zmniejszonemu zapotrzebowaniu na energię.
• Zmniejszenie obciążenia sieci i redukcja śladu karbonowego przez działania takie jako kopanie kryptowalut czy inne bardzo intensywne procesy obliczeniowe.

Jeśli producentom nie będzie zależeć na zmniejszeniu poboru energii, to tranzystory w układzie VTFET mają zapewniać dwukrotny wzrost wydajności hardware'u w porównaniu z tradycyjnymi układami. Brzmi to wspaniale i pozostaje tylko czekać na wprowadzenie tych nowinek do sprzętu dostępnego powszechnie na rynku.