Samsung Galaxy S25 zapewni rewolucję w standardzie RAM i wydajności dzięki ulepszonej litografii
Samsung szykuje znaczące ulepszenia specyfikacji dla całej serii Galaxy S25. Według najnowszych raportów wszystkie modele Galaxy S25 otrzymają 12 GB pamięci RAM jako standard – w porównaniu do 8 GB w serii Galaxy S24 – co ma poprawić wydajność w zadaniach związanych z modelami sztucznej inteligencji oraz efektywnym multitaskingiem.
Jednak zwiększona ilość pamięci RAM to nie jedyna zmiana. Z najnowszych informacji wynika, że urządzenia będą wyposażone w pamięć LPDDR5X, jednak na bazie ulepszonego procesu produkcyjnego, co przyniesie korzyści w zakresie wydajności i efektywności energetycznej.
Według raportu serwisu The Elec, Samsung zdecydował się na zastosowanie układów RAM LPDDR5X produkowanych w technologii 12 nm przez firmę Micron. Jest to zmiana względem wcześniejszej litografii 13 nm, co oznacza poprawę wydajności, efektywności oraz większe zagęszczenie tranzystorów. Powodem tej decyzji są problemy Samsunga z przegrzewaniem się własnych układów 12 nm, które zmusiły firmę do pozyskania komponentów od zewnętrznego dostawcy, aby uniknąć potencjalnych opóźnień w premierze Galaxy S25.
Choć Samsung miał ostatecznie rozwiązać kwestie związane z przegrzewaniem, współpraca z Micronem pozwoliła zabezpieczyć odpowiednie dostawy komponentów i uniknąć opóźnień rynkowych. Sourcing od wielu dostawców jest powszechną praktyką w branży, pozwalającą zabezpieczyć stabilność łańcucha dostaw oraz negocjować lepsze ceny dzięki konkurencyjnym ofertom. Kolejną istotną informacją jest to, że seria Galaxy S25 będzie napędzana wyłącznie przez procesory Snapdragon 8 Elite, co oznacza brak obecności układu Exynos 2500 w tej generacji. Oczekuje się, że flagowe smartfony zostaną zaprezentowane 22 stycznia 2025 roku. Z pewnością wówczas poznamy więcej szczegółów dotyczących ich specyfikacji i możliwości.
